目前全球仅一家厂商配资家，能够制造EUV光刻机，这家厂商就是ASML。
而EUV是用于制造7nm以下芯片的必须品，可见ASML在行业内的地位有多重要，台积电、三星、intel等，所有要进入7nm以下工艺的芯片厂，都得找ASML买EUV光刻机。
事实上，全球第一家EUV光刻机，是在2010年的推出的，至今已经15年了，当时ASML推出的是第一台EUV样机，交给台积电等厂商，进行测试。
后来到在2013年，真正量产的EUV光刻机NEX:3300B面世了，开启了一个全新的EUV时代，帮助芯片企业们，进入了7nm、5nm、3nm等等。
ASML的光刻机，从NEX:3300B开始，也进化了两代，第一代是NA=0.33的光刻机，第二代是NA=0.55的光刻机。
NA=0.33的光刻机称之为普通EUV，而NA=0.55的光刻机，称之为Hyper EUV。
NA代表的是数值孔径，数值越大，表示进入光刻机的光线越多，功率越高，那么可操控性越强，印刷分辨率就越高，光刻机的分辨率就越高。
NA=0.33的光刻机，其单次曝光分辨率是13nm，意思就是如果要制造13nm线宽以下的芯片，其实是需要多次曝光的。
而NA=0.55的光刻机，其单次曝光的分辨率是8nm，意思就是制造8nm线宽以下的芯片时，也是需要多次曝光的。
多曝光一次，复杂程度就相当于高一倍，良率肯定就会受影响，成本也会受影响。
所以，如果ASML目前在研究更先进的EUV光刻机，主要就是提升NA，下一代EUV光刻机，称之为Hyper NA EUV光刻机。
这种Hyper NA EUV光刻机，其NA会大于0.7，而一旦NA大于0.7，其分辨率可以达到5nm，也就是说制造5nm线宽的芯片时，都不需要多次曝光，一次就行。
当然，5nm以下线宽的芯片制造，当然还需要多次曝光了。
不过这样的EUV光刻机，要研发出来不容易，ASML自己也心里没底，曾经表示过，或许研发不出来，但目前ASML已经联合ASML、Cymer等企业合作。
而外界预测，这样的光刻机就算研发出来，售价也要超过7亿美元配资家，然后折算成人民币会是50亿元以上，几乎只有几家顶级企业才买的起，其它企业都没钱买。
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